ГЛАВНАЯ // NEWS


Скорость GaN и мощность SiC: экспериментальный супертранзистор обещает революцию в сфере зарядных устройств

Инженеры из Гонконгского университета науки и технологий в сотрудничестве с тремя другими китайскими научными институтами разработали
новый тип транзистора на основе двух передовых полупроводниковых материалов — нитрида галлия (

Источник: SecurityLab


Powered by Отряд им. 7-го МАЯ